高速熱処理炉の温度制御方法及びその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：中本菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993168615
Publication number (International publication number)：1995006955
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】被処理体を均一な温度下で降温制御して、スループットの向上及び歩留まりの向上を図る。【構成】複数の半導体ウエハWを配列収容するプロセスチューブ1と、このプロセスチューブ1との間に隙間2をおいて配置される炉本体4とを有する高速熱処理炉において、炉本体4の内壁に設けられる加熱手段を、半導体ウエハWの配列方向に沿って分割配置される複数のヒータ3a〜3cにて形成する。半導体ウエハWの近傍の複数箇所に複数の温度検出用の内部熱電対18a〜18cを配置し、これら内部熱電対18a〜18cからの検出温度信号を受ける温度コントローラ20によって各ヒータ3a〜3cを制御可能に形成する。これにより、半導体ウエハWを所定の温度に保持することができると共に、均一な温度に保持することができる。

Claim (excerpt)：

複数の被処理体を配列収容する処理室を所定温度より高温に加熱した後、強制冷却と加熱によって所定の温度に冷却するに当って、上記加熱を複数に分割された加熱手段にて行い、上記被処理体の近傍の複数箇所に配置される温度検出手段による検出温度に基いて上記加熱手段を制御して、上記被処理体の冷却温度を均一にすることを特徴とする高速熱処理炉の温度制御方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平1-282619
半導体熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215766 Applicant：株式会社東芝
特開平4-206816

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