半導体製造装置及び半導体製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232793
Publication number (International publication number)：1995086254
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置のチャンバ内に堆積するデポ物の付着量や化学的組成を、装置を大気開放せずに、或いはプロセスの進行中にモニタリングし、デポ物の清掃時期の判定や、プロセスの安定化にフィードバックしたり自動制御に応用する。【構成】処理チャンバ11内に、光ファイバ等を用いて赤外光等を光導入部18より導入する。チャンバ11内の全体、或いは特定な部分で反射した光を、受光部120から出して分光したり光量を測定することにより、チャンバ11内のデポ物の状態を測定する。【効果】デポ物の堆積量を半定量的にモニタすることができる為、大気開放を伴うようなデポ物の清掃時期の判定をより正確にできるようになる。よって、装置稼働率の向上やプロセスの安定化につながり、生産コストを低減することができる。

Claim (excerpt)：

チャンバと、光が透過する部材とを備えてなり、該透光性部材を通して前記チャンバの内部に光を導入し、チャンバ内部に光を照射し、その反射光を分光及び/または光量測定することにより、チャンバ内の状況を大気開放せずに測定可能な構成とすることを特徴とする半導体製造装置。

FI (2)：

H01L 21/302 E , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平4-234115
半導体処理方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-082983 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平1-238018

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