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J-GLOBAL ID：200903063519274393

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

Inventor： 北川 英二 ,  永瀬 俊彦 ,  吉川 将寿 ,  西山 勝哉 ,  岸 達也 ,  與田 博明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006280620
Publication number (International publication number)：2008098523
Application date： Oct. 13, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】熱的安定性を向上させ、かつ磁化反転の際の反転電流密度をより低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化し、かつ(001)面が配向したfct型の結晶構造を有する磁化自由層12と、磁化自由層12を挟むように設けられ、かつ正方晶型或いは立方晶型の結晶構造を有する第1および第2の非磁性層13,14と、磁化自由層12の一方の側のみに設けられ、かつ第1の非磁性層13の磁化自由層12が設けられた面と反対面に設けられ、かつ磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつ磁化の方向が固着された磁化固着層11とを含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化し、かつ(001)面が配向したfct型の結晶構造を有する磁化自由層と、 前記磁化自由層を挟むように設けられ、かつ正方晶型或いは立方晶型の結晶構造を有する第1および第2の非磁性層と、 前記磁化自由層の一方の側のみに設けられ、かつ前記第1の非磁性層の前記磁化自由層が設けられた面と反対面に設けられ、かつ磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつ磁化の方向が固着された磁化固着層と を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (3)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

F-Term (32)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD45 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB12 ,  5F092BB23 ,  5F092BB30 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC46 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,256,223号明細書
  

Cited by examiner (2)

• 磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-262444   Applicant：株式会社東芝
• スピン・トランスファによる垂直磁化磁気素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-500779   Applicant：グランディスインコーポレイテッド