磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004262444
Publication number (International publication number)：2006080287
Application date： Sep. 09, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】MRAMのメモリセルの微細化と誤書き込みの防止とを実現する。【解決手段】本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子MTJと、磁気抵抗効果素子MTJにデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線42と、データ書き込みを行っている間、磁気抵抗効果素子MTJの温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段Is2とを備える。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

複数の磁気抵抗効果素子と、前記複数の磁気抵抗効果素子のうち、選択された磁気抵抗効果素子にデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線と、前記データ書き込みを行っている間、前記選択された磁気抵抗効果素子の温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段とを具備し、前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、第1磁性層と、前記第1磁性層上の非磁性層と、前記非磁性層上の第2磁性層とからなる積層構造を有し、かつ、前記第1及び第2磁性層の磁化の向きが前記積層構造の積層面に垂直な方向に設定され、前記第1磁性層下に第1ヨーク材が配置され、前記第2磁性層上に第2ヨーク材が配置されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (4)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (3)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 140 , H01L43/08 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA15 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083ZA30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

強磁性体メモリの熱補助駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-250200 Applicant：キヤノン株式会社
磁気メモリ素子及びその記録方法、並びにその磁気メモリ素子を用いたメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-213580 Applicant：キヤノン株式会社
メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-565541 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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Cited by examiner (9)

磁気メモリ素子及びその記録方法、並びにその磁気メモリ素子を用いたメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-213580 Applicant：キヤノン株式会社
メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-565541 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のための方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-360344 Applicant：マグラブズ,インコーポレイテッド

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