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J-GLOBAL ID：200903063530719283

薄膜トランジスタ及びその製法

Inventor： 平尾 孝 ,  古田 守 ,  古田 寛 ,  松田 時宜 ,  平松 孝浩
Applicant, Patent owner： 財団法人高知県産業振興センター ,  カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 清原 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006038428
Publication number (International publication number)：2007220819
Application date： Feb. 15, 2006
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：

【課題】 ソース・ドレイン電極と酸化物半導体薄膜層のコンタクト性を向上させ、薄膜トランジスタの電流駆動能力を向上させることを解決課題とする。また、トップゲート型構造において、ソース・ドレイン電極からチャネルに至るまでの酸化物半導体薄膜層の膜厚方向の抵抗を抑え、電流律速を抑制することも解決課題とする。【解決手段】 基板上に間隔を有して形成されるソース・ドレイン電極と、該ソース・ドレイン電極の間隙及び表面にチャネルとして形成される酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物半導体薄膜層を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、該ソース・ドレイン電極の少なくとも一部が、表面の還元された導電性酸化物であり、該ソース・ドレイン電極の内側端部が該ゲート電極の両端部より内側に位置することを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に間隙を有して形成されるソース・ドレイン電極と、該ソース・ドレイン電極の間隙及び各ソース・ドレイン電極の表面にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記各ソース・ドレイン電極の少なくとも一部が、表面の還元された導電性酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (6)：

H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M

F-Term (43)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD86 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK42 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (1)

• 電子素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-083094   Applicant：ソニー株式会社