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J-GLOBAL ID：200903063545493737

導電体の製造方法

Inventor： 一杉 太郎 ,  植田 敦希 ,  山田 直臣 ,  長谷川 哲也
Applicant, Patent owner： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  旭硝子株式会社
Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007059077
Publication number (International publication number)：2008084824
Application date： Mar. 08, 2007
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】導電性に優れるとともに、透明性が良好な導電体を提供する。【解決手段】Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層12’を、基板11上に形成する工程と、前駆体層12’を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層12を形成する工程を有することを特徴とする導電体の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層を、基体表面上に形成する工程と、 前記前駆体層を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層を形成する工程を有することを特徴とする導電体の製造方法。

IPC (8)：

H01B 13/00 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/134 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/10

FI (8)：

H01B13/00 503B ,  C23C14/58 A ,  C23C14/08 E ,  G02F1/1343 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/28 ,  H05B33/10

F-Term (40)：

2H092HA03 ,  2H092MA05 ,  2H092MA09 ,  2H092MA25 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092NA01 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC05 ,  3K107CC12 ,  3K107DD12 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107DD32 ,  3K107DD46X ,  3K107DD46Y ,  3K107DD46Z ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  3K107GG02 ,  3K107GG05 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  4K029AA09 ,  4K029BA48 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 国際公開第2006/016608号パンフレット
  
• 透明電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-252205   Applicant：三井化学株式会社

Cited by examiner (1)

• 光触媒膜付き基体およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-569433   Applicant：日本板硝子株式会社