レジストマスク構造、化学増幅レジストの感度促進方法およびパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998030212
Publication number (International publication number)：1999231544
Application date： Feb. 12, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】化学増幅レジスト膜の感度を高める。【解決手段】化学増幅レジスト膜14と、放射線の照射によりこの化学増幅レジスト膜の感度を促進するための感度促進膜12とからなること。

Claim (excerpt)：

化学増幅レジスト膜と、放射線の照射に起因して該化学増幅レジスト膜の感度を促進するための感度促進膜とからなることを特徴とするレジストマスク構造。

IPC (5)：

G03F 7/095 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/095 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

多層レジストのパターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265935 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-215394 Applicant：株式会社東芝
特開平4-342135

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