多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264160
Publication number (International publication number)：1995115204
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】液晶表示素子に用いられる電気的なスイッチの機能を向上させ、駆動時に漏泄電流を防止し、活性半導体層の段差を低減させて断線を防止することにより素子の信頼性を向上することにその目的がある。【構成】基板1上に初期絶縁膜2を形成する工程と、前記初期絶縁膜2上に多結晶シリコン3を蒸着し、ソース/ドレーン領域およびチャネル領域が形成されるようにパターニングする工程と、前記パターニングされた多結晶シリコン3上にイオンプラズマを利用して形成された絶縁層を含むようにゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上にゲート形成用物質を蒸着し、このゲート形成用物質および前記ゲート絶縁層を選択的に除去してゲート7を形成する工程と、前記ゲート7をマスクとして利用したイオン注入により前記多結晶シリコン3上にソース/ドレーン4,5を形成する工程とを含むものである。

Claim (excerpt)：

基板1上に初期絶縁膜2を形成する工程と、前記初期絶縁膜2上に多結晶シリコン3を蒸着し、ソース/ドレーン領域およびチャネル領域が形成されるようにパターニングする工程と、前記パターニングされた多結晶シリコン3上に、イオンプラズマを利用して形成された絶縁層を含むゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上にゲート形成用物質を蒸着し、このゲート形成用物質および前記ゲート絶縁層を選択的に除去してゲート7を形成する工程と、前記ゲート7をマスクとして利用したイオン注入により前記多結晶シリコン3上にソース/ドレーン4,5を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 29/78 311 G , H01L 21/265 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-228043
特開平4-321219
薄膜半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-012264 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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