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J-GLOBAL ID：200903063755731053

半導体レーザ装置

Inventor： 松本 光晴 ,  林 伸彦 ,  後藤 壮謙 ,  國里 竜也 ,  茨木 晃
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115762
Publication number (International publication number)：1996316563
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高出力特性および低雑音特性を実現しつつ横モードが安定でかつ設計の自由度が大きい半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 p-クラッド層4の平坦部40上およびリッジ部41の側面に活性層3とほぼ等しいバンドギャップを有するp-可飽和吸収層5を形成する。p-可飽和吸収層5上に、発振光のエネルギーよりも大きなエネルギーのバンドギャップを有するn-電流ブロック層7を形成する。

Claim (excerpt)：

活性層に導波路が形成される半導体レーザ装置において、前記導波路の両側の領域上に可飽和吸収層が設けられたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-333572   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭61-171186