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J-GLOBAL ID：200903072280107570

半導体レーザ

Inventor：
内田 史朗

About 内田 史朗


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333572
Publication number (International publication number)：1995193316
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 自励発振型半導体レーザすなわちいわゆるパルセーション型半導体レーザにおいて、高出力化と低非点隔差化をはかるものである。【構成】 Alを含むIII-V族系半導体レーザにおいて、第1導電型の第1のクラッド層22と、活性層23と、第2導電型の第2のクラッド層24とが順次エピタキシーされ、第2のクラッド層24の電流通路部を挟んでその両側に凹部25が形成され、この凹部25内の第2のクラッド層24の表面に活性層23と同組成の過飽和吸収体層26がエピタキシーされ、この過飽和吸収体層26を介して電流ブロック層27がエピタキシーされ、電流ブロック層27のAlの含有量を第2のクラッド層24のAlの含有量に比し大に選定した構成とする。
Claim (excerpt)：
半導体レーザにおいて、第1導電型の第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第2のクラッド層とが順次エピタキシーされ、上記第2のクラッド層の電流通路部を挟んでその両側に凹部が形成され、該凹部内の上記第2のクラッド層表面に上記活性層と同組成の過飽和吸収体層がエピタキシーされ、該過飽和吸収体層を介して電流ブロック層がエピタキシーされ、上記電流ブロック層の屈折率が上記第2のクラッド層の屈折率に比し小に選定したことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平1-209779
  • 特開平4-154184
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321679   Applicant：松下電子工業株式会社
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Cited by examiner (7)
  • 特開平1-209779
  • 特開平4-154184
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321679   Applicant：松下電子工業株式会社
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