半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大岩増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996049771
Publication number (International publication number)：1997246540
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】高耐圧半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】第1導電型の半導体基板1と金属配線9との接触面10の下に形成される第2導電型の高濃度の不純物領域11と、この高濃度の不純物領域11の周囲に形成される第2導電型の低濃度の不純物領域12と、これら不純物領域11、12を介して金属配線9に電気的に接続されるソース又はドレイン領域6を有する第2導電型のMOSFET13とを設ける。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の1主面上に形成され、上記半導体基板との接触面を有する金属配線と、上記接触面の下の上記半導体基板内部に形成される第2導電型の高濃度の不純物領域と、上記半導体基板内部の上記高濃度の不純物領域の周囲に形成される第2導電型の低濃度の不純物領域と、上記半導体基板の1主面に形成され、上記不純物領域を介して上記金属配線に電気的に接続されるソース又はドレイン領域を有する第2導電型のMOSFETとを備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 29/78 301 S , H01L 21/28 V , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-220774
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-283903 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開平4-146668

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