Pat
J-GLOBAL ID：200903063894941143
炭化珪素単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998221099
Publication number (International publication number)：2000044393
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 炭化珪素単結晶基板の内部に存在するマイクロパイプ欠陥を塞ぎ、欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得る。【解決手段】 マイクロパイプ欠陥3を有する炭化珪素単結晶基板2の両面に接して、原料となる炭化珪素基板、特に炭化珪素単結晶基板2と結晶形の異なる炭化珪素基板1a、1bを配置し、るつぼ6内で熱処理を行うと、マイクロパイプ欠陥3内で炭化珪素蒸気が再結晶化し、マイクロパイプ欠陥3が閉塞する。
Claim (excerpt)：
マイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶基板の一方の面または両面に接して、炭化珪素基板を配置し、熱処理を行って、上記マイクロパイプ欠陥を閉塞することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
F-Term (5)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CA03
, 4G077FE08
, 4G077HA12
Cited by applicant (1)
-
単結晶SiCおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-172017
Applicant：日本ピラー工業株式会社
Cited by examiner (1)
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単結晶SiCおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-172017
Applicant：日本ピラー工業株式会社
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