Pat
J-GLOBAL ID:200903063932161963
レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995037705
Publication number (International publication number):1996213341
Application date: Feb. 02, 1995
Publication date: Aug. 20, 1996
Summary:
【要約】【目的】 レーザー光の照射による非晶質珪素膜の結晶化技術において、結晶化の向上と作業効率の向上を計る。【構成】 正規分布またはそれに準ずるビームプロファイルを有する線状のパルスレーザービームを照射して非晶質珪素膜を結晶化する際に、線状のレーザービームが一部重なるようにして照射を行うことで、段階的にレーザー照射パワーを増加させていき、さらに徐々にレーザー照射パワーを下げていった場合と同様の効果を得るこができる。
Claim (excerpt):
線状に加工されたパルスで、パルスレーザーを1方向にずらしながら照射する工程で、被照射物のある一点に着目したとき、該パルスレーザーがその一点に複数回照射されるようレーザービームを一部重ねて打つことを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (5):
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (2):
H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 F
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
特開昭64-076715
-
特開平2-224346
-
半導体回路およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-067982
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-185661
Applicant:三洋電機株式会社
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Cited by examiner (4)
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特開昭64-076715
-
特開平2-224346
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半導体回路およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-067982
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-185661
Applicant:三洋電機株式会社
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