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J-GLOBAL ID：200903063932161963

レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法

Inventor： 楠本 直人 ,  田中 幸一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037705
Publication number (International publication number)：1996213341
Application date： Feb. 02, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザー光の照射による非晶質珪素膜の結晶化技術において、結晶化の向上と作業効率の向上を計る。【構成】 正規分布またはそれに準ずるビームプロファイルを有する線状のパルスレーザービームを照射して非晶質珪素膜を結晶化する際に、線状のレーザービームが一部重なるようにして照射を行うことで、段階的にレーザー照射パワーを増加させていき、さらに徐々にレーザー照射パワーを下げていった場合と同様の効果を得るこができる。

Claim (excerpt)：

線状に加工されたパルスで、パルスレーザーを1方向にずらしながら照射する工程で、被照射物のある一点に着目したとき、該パルスレーザーがその一点に複数回照射されるようレーザービームを一部重ねて打つことを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (5)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭64-076715
  
• 特開平2-224346
  
• 半導体回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067982   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-185661   Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-076715
  
• 特開平2-224346
  
• 半導体回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067982   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-185661   Applicant：三洋電機株式会社