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J-GLOBAL ID：200903063942570659
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993276542
Publication number (International publication number)：1995128384
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の回路要素の、使用頻度の増大または周囲の環境に起因しての経時劣化による信頼性低下の防止【構成】 使用頻度の増大または周囲の環境に起因して経時劣化する実回路要素2を持つ半導体装置1と、該半導体装置1内に組み込まれた、実回路要素2と同一の積層構造を持つチェック用回路要素5、チェック用回路要素5に実回路要素2以上の使用負荷を与える回路6、チェック用回路要素5の劣化進行状況を測定するための劣化進行状況測定センサ7、及び劣化進行状況測定センサ7に接続された出力端子8を含んで構成された半導体装置。
Claim (excerpt)：
使用頻度の増加と共に或いは環境に起因して経時劣化する回路要素を持つ半導体装置において、該経時劣化する回路要素と同一構造であるチェック用回路要素と、該チェック用回路要素に該経時劣化する回路要素よりも大きい使用負荷を与えるための回路と、該チェック用回路要素の電気特性を測定するセンサを備えた半導体装置。
IPC (6)：
G01R 31/00
, G01R 31/26
, H01L 21/66
, H01L 23/00
, H01L 27/04
, H01L 21/822
