光半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154041
Publication number (International publication number)：1995015093
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】光半導体素子に関し、特に低消費電力・高速応答・高消光比を有する電界吸収型光変調素子及び屈折率変化型光変調素子、更に広い波長可変を有する波長可変半導体レーザ素子に関する。【構成】電界吸収型光変調素子における光吸収層、屈折率光変調素子における光変調層、波長可変半導体レーザにおけるチューニング層に次なるバンド構造を有する超格子構造を用いる。超格子構造を形成する半導体材料1、2の電子親和力χ<SB>1 </SB>、χ<SB>2 </SB>、禁制帯エネルギーE<SB>g 1 </SB>,E<SB>g 2 </SB>とした場合、χ<SB>1 </SB><χ<SB>2 </SB>且つχ<SB>1 </SB>+E<SB>g 1 </SB><χ<SB>2 </SB>+E<SB>g 2 </SB>を満たす超格子構造である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、超格子構造を有する半導体素子において、前記超格子構造を形成する半導体材料1、2の電子親和力χ<SB>1 </SB>、χ<SB>2 </SB>、禁制帯エネルギーE<SB>g 1 </SB>、E<SB>g 2 </SB>が次なる関係を有する事を特徴とする光半導体素子。χ<SB>1 </SB><χ<SB>2</SB>χ<SB>1 </SB>+E<SB>g 1 </SB><χ<SB>2 </SB>+E<SB>g 2</SB>

IPC (3)：

H01S 3/18 , G02F 1/31 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭59-172785
特開昭59-172785
特開平4-277686

Show all

Return to Previous Page