薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009002550
Publication number (International publication number)：2009206500
Application date： Jan. 08, 2009
Publication date： Sep. 10, 2009
Summary：

【課題】低温下で、良質な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】まず、室温下の反応管2内にジイソプロピルアミノシランを供給し、半導体ウエハWの表面にSiを吸着させる。続いて、室温下の反応管2内に酸素ラジカルを供給して、吸着したSiを酸化させ、半導体ウエハWにシリコン酸化膜を形成する。そして、この処理を複数回繰り返す。これにより、半導体ウエハWに所望厚のシリコン酸化膜が形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理体が収容された反応室内に、ジイソプロピルアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを含むシリコン含有物質を吸着させる吸着ステップと、前記吸着ステップで吸着されたシリコン含有物質に、活性化された酸化ガスまたは窒化ガスを供給し、当該シリコン含有物質を酸化または窒化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成する膜形成ステップと、を備え、前記吸着ステップと、前記膜形成ステップとを、複数回繰り返す、ことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/42

FI (4)：

H01L21/316 X , H01L21/318 B , H01L21/31 C , C23C16/42

F-Term (51)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030HA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA04 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD03 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AE19 , 5F045AF01 , 5F045BB07 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EC02 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045EF03 , 5F045EF20 , 5F045EH18 , 5F045EK06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BG02 , 5F058BG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

有機アミノシラン前駆体から酸化ケイ素膜を製造するための方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-135666 Applicant：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド

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