Pat

J-GLOBAL ID：200903045618765520

有機アミノシラン前駆体から酸化ケイ素膜を製造するための方法

Inventor： ハーレッシュ スリダンダム ,  マンチャオ シャオ ,  シンジャン レイ ,  トーマス リチャード ガフネイ
Applicant, Patent owner： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
Agent (4)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007135666
Publication number (International publication number)：2007318142
Application date： May. 22, 2007
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】CVDによって基材上に酸化ケイ素層を堆積するための方法を提供する。【解決手段】アルキル基が少なくとも2つの炭素原子を有する有機アミノシラン前駆体を酸化剤の存在下で反応させることにより酸化ケイ素膜を形成することができる。有機アミノシランは、以下の式、即ち、によって表される。ジイソプロピルアミノシランは酸化ケイ素膜の形成に関して好ましい前駆体である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長を通して基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法であって、 以下の式、即ち、

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/42

FI (3)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  C23C16/42

F-Term (16)：

4K030AA06 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA15 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 米国特許第5,250,473号明細書
  
• 米国特許第5,382,550号明細書
  
• 米国特許第6,391,803号明細書
  
• 米国特許第6,153,261号明細書
  
• 米国特許第6,974,780号明細書
  

Cited by examiner (2)

• 半導体膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284350   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-366854   Applicant：富士通株式会社