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J-GLOBAL ID：200903064147155879

近接場光発生プローブ及び近接場光発生装置

Inventor：
松本 拓也

About 松本 拓也

, 
嵯峨 秀樹

About 嵯峨 秀樹


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002319251
Publication number (International publication number)：2004151046
Application date： Nov. 01, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：
【課題】本発明は、散乱体を用いたプローブにおいて、強い近接場光が発生する点以外の部分で発生する近接場光がノイズとなる。【解決手段】散乱体の強い近接場光が発生する頂点以外の部分の表面を、削る深さが近接場光のしみ出し深さ以上になるように削る。【効果】試料観察や記録マークを再生する場合のノイズを抑えることが出来る。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
光源と、 前記光源からの光を照射されることによって、近接場光を発生させる導電性の散乱体を備え、 前記散乱体の、近接場光が発生する箇所における厚さよりも、前記箇所以外の領域における厚さが、薄いことを特徴とする近接場光発生装置。
IPC (5)：
G01N13/14 ,  G11B5/02 ,  G11B7/135 ,  G11B11/105 ,  G12B21/06
FI (5)：
G01N13/14 B ,  G11B5/02 T ,  G11B7/135 A ,  G11B11/105 566C ,  G12B1/00 601C
F-Term (9)：
5D075CD18 ,  5D091CC24 ,  5D091HH20 ,  5D119AA22 ,  5D119BA01 ,  5D119JA34 ,  5D789AA22 ,  5D789BA01 ,  5D789JA34
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (1)

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