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J-GLOBAL ID:200903064168501599

炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001301936
Publication number (International publication number):2003104799
Application date: Sep. 28, 2001
Publication date: Apr. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 十分な成長速度での炭化珪素単結晶のポリタイプ変換を確保しつつ結晶品質劣化を抑制し、一つの単結晶インゴットの結晶成長方向に複数のポリタイプを有する炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素単結晶インゴット中に異種元素含有層を少なくとも1層有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法である。
Claim (excerpt):
炭化珪素単結晶インゴット中に異種元素含有層を少なくとも1層有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
IPC (2):
C30B 29/36 ,  H01L 33/00
FI (2):
C30B 29/36 A ,  H01L 33/00 A
F-Term (12):
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077DB12 ,  4G077EB01 ,  4G077SA01 ,  4G077SA06 ,  5F041CA33 ,  5F041CA47 ,  5F041CA48 ,  5F041CA58
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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