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J-GLOBAL ID:200903064168501599
炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001301936
Publication number (International publication number):2003104799
Application date: Sep. 28, 2001
Publication date: Apr. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 十分な成長速度での炭化珪素単結晶のポリタイプ変換を確保しつつ結晶品質劣化を抑制し、一つの単結晶インゴットの結晶成長方向に複数のポリタイプを有する炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素単結晶インゴット中に異種元素含有層を少なくとも1層有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法である。
Claim (excerpt):
炭化珪素単結晶インゴット中に異種元素含有層を少なくとも1層有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
IPC (2):
FI (2):
C30B 29/36 A
, H01L 33/00 A
F-Term (12):
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077DB12
, 4G077EB01
, 4G077SA01
, 4G077SA06
, 5F041CA33
, 5F041CA47
, 5F041CA48
, 5F041CA58
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-223986
Applicant:新日本製鐵株式会社
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炭化珪素体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-171383
Applicant:シヤープ株式会社
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