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J-GLOBAL ID：200903064182594931

半導体レーザ素子

Inventor： 清水 均 ,  熊田 浩仁 ,  岩井 則広
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 稲垣 清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001281240
Publication number (International publication number)：2003017812
Application date： Sep. 17, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 特性温度が高く、しかも室温でのしきい値電流密度が低い長波長帯半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子60は、n-GaAs基板62上に、順次、成膜した、n-GaAsバッファ層64、n-In0.47Ga0.53Pクラッド層66、GaAs光閉じ込め層68、GaInNAs/GaNPAs単一量子井戸活性層70、GaAs光閉じ込め層72、p-In0.47Ga0.53Pクラッド層74、及びp-GaAsコンタクト層76の積層構造を有する。活性層は、井戸膜厚が8nmで、圧縮歪2.5%のGa0.63In0.37N0.01As0.99層を井戸層70bとして、膜厚が30nmのGaN0.02P0.25As0.73層を障壁層70a、70cとしては用いている。障壁層70a、70cの引っ張り歪量は1.3%、ΔEc=420meVであり、バンドギャップ波長は0.82μmである。

Claim (excerpt)：

量子井戸活性層及びクラッド層を有し、レーザ光を出射する共振器構造をGaAs基板上に備える半導体レーザにおいて、量子井戸活性層が、GaInNAs(Sb)井戸層と、伝導帯オフセットエネルギーが350meV以上で、かつ歪量が2.5%以下になるような組成を有する障壁層とで構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (9)：

5F073AA45 ,  5F073AA72 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-079340   Applicant：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-091219   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザおよび該半導体レーザを用いた光通信システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-304414   Applicant：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 窒素を含むIII-V族半導体を用いた半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-218240   Applicant：キヤノン株式会社