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J-GLOBAL ID：200903040008944315

半導体レーザおよび該半導体レーザを用いた光通信システム

Inventor： 近藤 正彦 ,  北谷 健 ,  中塚 慎一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
Agent (1)： 磯村 雅俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304414
Publication number (International publication number)：1998145003
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 長波長帯半導体レーザにおいて、電子と正孔の閉じ込めエネルギーを十分に確保したまま、量子井戸活性層の歪を軽減することにより、高性能な半導体レーザを提供すること。【解決手段】 活性層7を量子井戸構造とし、井戸層6にGaInNAs等の窒素系5族混晶半導体を用い、障壁層(光ガイド層)4,5に伸張歪の半導体を用いる。伸張歪の半導体は、GaNAsまたはGaNPAsであることが好ましい。井戸層と障壁層との両方に窒素系5族混晶半導体を用いることで、電子と正孔の閉じ込めエネルギーを共に十分に確保できる。また、井戸層と障壁層とで応力補償することにより、量子井戸活性層の各層の歪と全体の歪を共に低減できる。これにより、高性能な半導体レーザを提供することが可能になる。1はGaAs基板、3,8,10はクラッド層、14,15は電極。

Claim (excerpt)：

GaAs基板結晶上に光を発生する活性層と、光を閉じ込めるクラッド層(またはスペーサ層)と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、上記活性層が井戸層と障壁層とで構成される量子井戸構造であり、井戸層と障壁層の歪の種類が異なる応力補償型壁であり、井戸層に窒素系5族混晶半導体を用いることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-296210   Applicant：株式会社日立製作所
• 歪量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-353406   Applicant：古河電気工業株式会社, 光技術研究開発株式会社