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J-GLOBAL ID：200903064190306007

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 今井 聖支 ,  四戸 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001302562
Publication number (International publication number)：2002359378
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 できるだけ工程数を増やすことなく又安価なコストで、深部膨張形拡散領域を実現する。【解決手段】 n型エピタキシャル成長層12の表面にイオン注入用マスク13Mを形成する。イオン注入用マスク13Mを用いて、n型エピタキシャル成長層12の深い位置に、ボロン(11B+)の選択イオン注入を行う。更に、イオン注入用マスク13Mを用いて、n型エピタキシャル成長層12の表面から、ボロンよりも浅い位置にアルミニウム(27Al+)の選択イオン注入を行う。その後、活性化熱処理により、p型の深部膨張形拡散領域15a,15bを形成する。深部膨張形拡散領域15a,15bは、オーミックコンタクト領域11に近づくに従い、深さ方向に垂直方向の横方向の拡散幅が広くなるようにされている。

Claim (excerpt)：

第1導電型のオーミックコンタクト領域と、該オーミックコンタクト領域の上部に設けられ、該オーミックコンタクト領域よりも低不純物濃度で、2.2eVよりも禁制帯の広い広禁制帯幅材料からなる第1導電型のドリフト領域と、該ドリフト領域の表面に頂部を露出して、該ドリフト領域の内部に設けられ、前記ドリフト領域の表面から前記オーミックコンタクト領域に向かって、水平方向断面積が次第に広くなるようにされた複数個の第2導電型の深部膨張形拡散領域と、前記ドリフト領域の表面に接して設けられた前記ドリフト領域とショットキー接合をなすショットキー電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (13)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/80

FI (15)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/74 M ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/72 H ,  H01L 27/06 T

F-Term (57)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  5F003AP04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BG03 ,  5F003BH08 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ93 ,  5F003BM01 ,  5F003BM04 ,  5F003BP05 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ03 ,  5F005AC01 ,  5F005AE02 ,  5F005AE07 ,  5F005AE09 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005GA01 ,  5F102FA01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GC09 ,  5F102GC10 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GS03 ,  5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140BA02 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BF43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 炭化けい素ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132479   Applicant：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社

Cited by examiner (1)

• 炭化けい素ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132479   Applicant：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社