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J-GLOBAL ID：200903066708052155

炭化けい素ダイオード

Inventor： 岩崎 貴之 ,  大野 俊之 ,  八尾 勉 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997132479
Publication number (International publication number)：1998321879
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 逆方向特性の向上と、順方向導通時の損失抑制が両立でき、高速応答が可能で低損失のダイオードを提供すること。【解決手段】 高不純物濃度n+ 半導体基板3上に、低不純物濃度のn型層2を備え、且つ、このn型層2の表面に、所定の幅WP で所定の深さLP を有する複数の高不純物濃度p+ 型領域1Aを所定の間隔WS で設け、さらに、これらn型層2とp+ 型領域1Aの全面にアノード電極4を設け、これにより、n型層2とアノード電極4の接合部にショットキー接合が形成され、さらに、このショットキー接合とp+ 型領域1Aの電気的な接続がアノード電極4により得られるようにし炭化けい素からなるダイオードにおいて、高不純物濃度p+ 型領域1Aの断面形状を横長の長円形にし、これらの間の間隔WS が最小になる位置が、基板表面から所定距離LS 、内側にくるようにしたもの。【効果】 順方向導通時の抵抗を低減できる。

Claim (excerpt)：

炭化けい素からなる第一導電型高抵抗層の表面に、所定の間隔をおいて選択的に少なくとも2個の第二導電型低抵抗領域を有し、前記第一導電型高抵抗層の表面と第二導電型低抵抗領域の表面に金属層を形成してアノード電極としたダイオードにおいて、前記第二導電型低抵抗領域の断面を、これら第二導電型低抵抗領域相互間の間隔が前記第一導電型高抵抗層の表面から所定距離内側の位置で最小値になるような形状にしたことを特徴とする炭化けい素ダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/861

FI (4)：

H01L 29/48 P ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-261132   Applicant：新電元工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-058394   Applicant：新電元工業株式会社
• 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-228560   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平2-049422