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J-GLOBAL ID：200903064192144853

堆積膜形成装置

Inventor： 矢島 孝博 ,  宍戸 健志 ,  金井 正博
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999344535
Publication number (International publication number)：2001168032
Application date： Dec. 03, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】堆積膜を形成するに際して、熱膨張やプラズマ照射、薄膜の堆積などの影響によって反りや湾曲などの変形を抑えることができる電力印加電極を有する堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】真空室内で、電力印加電極と該電力印加電極に対向して配置された基板との間にプラズマを発生させて、真空室内に導入される反応ガスを分解し、前記基板上に堆積膜を形成させる堆積膜形成装置において、前記電力印加電極が、熱膨張やプラズマ照射、薄膜の堆積などの影響による反りや湾曲などの変形を抑えることができる構造とする。

Claim (excerpt)：

真空室内で、電力印加電極と該電力印加電極に対向して配置された基板との間にプラズマを発生させて、真空室内に導入される反応ガスを分解し、前記基板上に堆積膜を形成させる堆積膜形成装置において、前記電力印加電極が、熱膨張やプラズマ照射、薄膜の堆積などの影響による反りや湾曲などの変形を抑えることができる構造を有していることを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 31/04 V

F-Term (30)：

4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030BA30 ,  4K030BB05 ,  4K030BB11 ,  4K030CA01 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB11 ,  5F045CA13 ,  5F045DQ12 ,  5F045EB02 ,  5F045EH14 ,  5F045EK13 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CA15 ,  5F051CA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-290984
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-187212   Applicant：松下電器産業株式会社