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J-GLOBAL ID:200903064231034467
純水製造装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
内山 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997360117
Publication number (International publication number):1999188359
Application date: Dec. 26, 1997
Publication date: Jul. 13, 1999
Summary:
【要約】【課題】半導体製造などの電子産業分野、あるいはその関連分野などで用いられる、ホウ素濃度を低減した純水の製造において、電気脱イオン装置におけるホウ素除去率を飛躍的に高めることができる純水製造装置を提供する。【解決手段】(A)ホウ素含有水にアルカリを添加してpHを9.2以上に調整するアルカリ添加装置、(B)pHの調整されたホウ素含有水が通水される耐アルカリ性逆浸透膜装置及び(C)耐アルカリ性逆浸透膜装置の透過水が通水される電気脱イオン装置を有することを特徴とする純水製造装置、並びに、(D)ホウ素含有水が通水される逆浸透膜装置、(E)逆浸透膜装置の透過水にアルカリを添加してpHを9.2以上に調整するアルカリ添加装置、(F)pHの調整された逆浸透膜装置の透過水が通水される電気脱イオン装置を有することを特徴とする純水製造装置。
Claim (excerpt):
(A)ホウ素含有水にアルカリを添加してpHを9.2以上に調整するアルカリ添加装置、(B)pHの調整されたホウ素含有水が通水される耐アルカリ性逆浸透膜装置及び(C)耐アルカリ性逆浸透膜装置の透過水が通水される電気脱イオン装置を有することを特徴とする純水製造装置。
IPC (4):
C02F 1/44
, B01D 61/48
, C02F 1/469
, C02F 1/58
FI (4):
C02F 1/44 J
, B01D 61/48
, C02F 1/58 H
, C02F 1/46 103
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
高効率逆浸透処理の方法および装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-509990
Applicant:ムコパダイデバシッシ
Cited by examiner (1)
-
高効率逆浸透処理の方法および装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-509990
Applicant:ムコパダイデバシッシ
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