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J-GLOBAL ID：200903064267089829

半導体の加工方法

Inventor： 寺島 健太郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998358169
Publication number (International publication number)：2000183047
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 物理的手段に頼っていた半導体の45°斜面形成の加工を、より容易なエッチング法に切り換え、量産性の向上、製造コストの抑制及び信頼性の高い半導体装置を製造することを目的とする。【解決手段】 塩化水素を5重量%以上と、臭化水素を5重量%以上と、希釈液とを含んでなるエッチング溶液を用いて、閃亜鉛型の結晶構造を持つ半導体基板を順メサ方向で45°異方性エッチングすることからなる半導体の加工方法。

Claim (excerpt)：

塩化水素を5〜15重量%と、臭化水素を5〜20重量%とを含んでなるエッチング水溶液を用いて、閃亜鉛型の結晶構造を持つ半導体基板を順メサ方向で45°異方性エッチングすることからなる半導体の加工方法。

IPC (5)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/04 ,  C09K 13/04 101 ,  C09K 13/06 ,  C09K 13/06 101

FI (5)：

H01L 21/308 C ,  C09K 13/04 ,  C09K 13/04 101 ,  C09K 13/06 ,  C09K 13/06 101

F-Term (5)：

5F043AA02 ,  5F043AA04 ,  5F043BB08 ,  5F043DD21 ,  5F043FF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-204982   Applicant：沖電気工業株式会社