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J-GLOBAL ID：200903064275479733

パターン形成方法

Inventor： 伊藤 信一 ,  井上 壮一 ,  藤沢 忠仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991346042
Publication number (International publication number)：1993181256
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、解像限界を向上せしめると共に、フォーカスマージンの向上をはかり一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできるパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の方法では、透光性基板上に、この透光性基板に対する位相差が180×(2n+1)±10:n=整数の関係を満たす半透明材料からなるマスクパターンを具備した露光用マスクに対し、均一化された光源面あるいは二次光源面からの光を、中央に暗部を有する輪帯フィルタを介して照射し、パターンを形成すべき基板表面に前記露光用マスクのパターン像を結像せしめるようにしている。望ましくは、この均一化された光源面あるいは二次光源面の半径をLとしたとき、輪帯フィルタの暗部が蠅の目レンズの中心から半径d(d≧0.5L)の大きさをもつように構成する。望ましくは、この半透明材料からなるマスクパターンの振幅透過率が次式を満たすように構成する。0.05×T0 ≦T≦0.40×T0

Claim (excerpt)：

透光性基板と、前記透光性基板上に配設され、前記透光性基板に対する位相差が、“180×(2n+1)±10:n=整数”の関係を満たす半透明材料からなるマスクパターンとを具備した露光用マスクに対し、均一化された光源面あるいは二次光源面からの光を、中央に暗部を有する輪帯フィルタを介して照射し、パターンを形成すべき基板表面に前記露光用マスクのパターン像を結像せしめるようにしたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 341 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-091662
  
• マスクとそれを用いた投影露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-177816   Applicant：日本電信電話株式会社