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J-GLOBAL ID：200903064299816773

半導体レーザー

Inventor： 玉村 好司 ,  岩本 浩治 ,  二木 誠 ,  岩本 博行
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991278714
Publication number (International publication number)：1993090708
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高出力、低動作電流及び長寿命のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザーを実現する。【構成】 Alx Ga1-x As/GaAs系のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザーのn型Alx Ga1-x As層から成るn型クラッド層3に、n型不純物であるSeに加えて、p型不純物であるZnも含有させる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層とを具備する半導体レーザーにおいて、上記第1のクラッド層中に第2導電型の不純物が含有され及び/又は上記第2のクラッド層中に第1導電型の不純物が含有されていることを特徴とする半導体レーザー。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-249391
  
• 半導体多層膜の形成方法および半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-156522   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭60-003176