半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000212330
Publication number (International publication number)：2002033412
Application date： Jul. 13, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】配線に生じる熱応力を好適に吸収することにより、電気的、機械的な接続の信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】半導体基板1の上に、取出し電極2と外部接続のための外部接続用電極7が設けられている。取出し電極2と外部接続用電極7を、配線5が接続している。配線5は、上に向かって盛り上がる極大部が少なくとも1つできるように曲折している。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた取出し電極と、前記半導体基板の上に設けられた、外部接続のための外部接続用電極と、前記取出し電極と前記外部接続用電極とを接続する配線とを備え、前記配線は、上に向かって盛り上がる極大部が少なくとも1つできるように曲折している半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 501 , H01L 21/60

FI (2)：

H01L 23/12 501 C , H01L 21/92 602 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-358820 Applicant：松下電子工業株式会社

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