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J-GLOBAL ID:200903037395188638

半導体装置とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 前田 弘 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997358820
Publication number (International publication number):1999191572
Application date: Dec. 26, 1997
Publication date: Jul. 13, 1999
Summary:
【要約】【課題】 熱応力等に対する金属配線の断線を防止する機能の高い高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ10の主面上には、半導体チップ10の電極が配置された中央部を開口させた低弾性率層20が設けられている。そして、低弾性率層20の上に外部電極端子となるランド32が設けられ、ランド32とパッド30との間を接続する金属配線31が設けられている。ランド32の上には金属ボール40が設けられており、ランドの一部を開口させたソルダーレジスト50が形成されている。低弾性率層20の傾斜部上の金属配線31には1回又は2回以上蛇行した蛇行部が形成されている。そして、この蛇行部で半導体装置の加熱・冷却に伴って発生する熱応力などの応力を吸収し、金属配線の断線を防止するように構成されている。
Claim (excerpt):
表面上に電極が配置された半導体チップと、上記半導体チップ上の電極から延び、少なくとも一回蛇行した蛇行部を有するように形成された金属配線と、上記金属配線に接続される外部電極端子とを備えている半導体装置。
IPC (3):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12
FI (3):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/12 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-066637   Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 株式会社日立マイコンシステム
  • 半導体集積回路装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-066638   Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 株式会社日立マイコンシステム
  • 半導体装置用パッケージおよび半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-121351   Applicant:新光電気工業株式会社
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