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J-GLOBAL ID：200903064349008533

導電性ストリップ構造による光電素子

Inventor：
ジーグフリート・ギーブラー

About ジーグフリート・ギーブラー

, 
ゲオルグ・ヘロック

About ゲオルグ・ヘロック


Applicant, Patent owner：
ヴイスハイ・ゼミコンダクター・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング

About ヴイスハイ・ゼミコンダクター・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング


Agent (1)： 江崎 光史 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001379928
Publication number (International publication number)：2002231973
Application date： Dec. 13, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 付加的な外部のシールドなしにシールドするような導電性ストリップ構造による光電素子を提供することにある。【解決手段】 導電性ストリップの第1導電性ストリップ領域上に光電素子23及び半導体素子が搭載され、熱可塑性又は熱硬化性の合成樹脂から成るケース21によって覆われている。第2の導電性ストリップ領域5は、ケースから突出し、かつこの第2の導電性ストリップ領域が電磁的な放射妨害から保護するようにこのケース21づたいに折り畳まれている。
Claim (excerpt)：
【請求項01】 電子的な半導体素子と光電的な半導体素子(6,7)が、接地されている第1の導電性領域(4)上に配置され、熱可塑性又は熱硬化性の合成樹脂から成るケース(21)によって覆われている導電性ストリップ構造による光電素子(23)において、同様に接地されている第2の導電性ストリップ領域(5)は、ケース(21)から突出し、かつこの第2の導電性ストリップ領域(5)が電磁的な放射妨害から保護するようにこのケース(21)づたいに折り畳まれていることを特徴とする光電素子(23)。【請求項02】 両導電性ストリップ領域(4,5)は、1つ又は多数のウェブ(9)を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光電素子(23)。【請求項03】 レンズ(17)が、ケース(21)内に組込まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電素子(23)。【請求項04】 第2の導電性ストリップ領域(5)は、開口部(10)を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光電素子(23)。【請求項05】 レンズ(17)の形状と直径、並びに開口部(10)の形状と直径は、重なり合うように調整されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の光電素子(23)。【請求項06】 第2の導電性ストリップ領域(5)は、折り曲げるべき片材(16)を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光電素子(23)。【請求項07】 片材(16)は、刻み目又は切込み部(12)を有することを特徴とする請求項6に記載の光電素子(23)。【請求項08】 翼状部分(19)が、各刻み目(12)に隣接していることを特徴とする請求項7に記載の光電素子(23)。【請求項09】 各翼状部分(19)は、僅かな角度だけ曲げられていることを特徴とする請求項8に記載の光電素子(23)。【請求項10】 ロック式の段差(25)を有する斜面(24)が、ケース(21)に形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の光電素子(23)。【請求項11】 曲げられた翼状部分(19)は、第2の導電性ストリップ領域(5)の折り畳み時に段差(25)と係合することを特徴とする請求項9又は10に記載の光電素子(23)。【請求項12】 第2の導電性ストリップ領域(5)は、もう1つ別のウェブ(13)を有することを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の光電素子(23)。【請求項13】 ウェブ(13)は、第2の導電性ストリップ領域(5)の折り畳み時にケース(21)づたいに曲げられていることを特徴とする請求項12に記載の光電素子(23)。【請求項14】 ウェブ(13)用の凹部が、ケース(21)に形成されていることを特徴とする請求項12又は13に記載の光電素子(23)。【請求項15】 以下の:a)第1の導電性ストリップ領域(4)を有する接地されている導電性ストリップ(1)を準備し、b)電子的な半導体素子と光電的な半導体素子(6,7)をこの第1の導電性ストリップ領域(4)上に搭載して接触させ、c)第1の導電性ストリップ領域(4)づたいにケース(21)と、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂によるモジュール式の半導体素子(6,7)とを成形する、方法ステップから成る光電素子(23)を製造する方法において、d)第2の導電性ストリップ領域(5)が、電磁シールドとしてケース(21)づたいに折り畳まれることを特徴とする方法。
F-Term (9)：
5F088BA20 ,  5F088BB01 ,  5F088EA06 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA12 ,  5F088JA16 ,  5F088JA20 ,  5F088LA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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