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J-GLOBAL ID：200903064376537599

歪多重量子井戸半導体レーザ

Inventor： 上山 智 ,  萬濃 正也 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993012291
Publication number (International publication number)：1994224516
Application date： Jan. 28, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 歪多重量子井戸半導体レーザにおいて歪および注入キャリアの井戸間での不均一性を防ぎ、低しきい値のレーザを実現する。【構成】 バリア層12に井戸層11と逆の歪を加え、多重歪量子井戸全体のフリースタンディング格子定数を基板の格子定数と一致させる。【効果】 歪および注入キャリアの井戸間での不均一性が解消されレーザのしきい値電流が大幅に低減できる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板と、前記基板上に第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に歪多重量子井戸構造をもつ活性層と、前記活性層上に第2のクラッド層とを備え、前記活性層の歪多重量子井戸は、井戸層とバリア層が交互に積層した構成であり、かつ、前記井戸層と前記バリア層はそれぞれ逆の歪をもち、前記歪多重量子井戸のフリースタンディング格子定数が前記基板とほぼ一致していることを特徴とする歪多重量子井戸半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-234184
  
• 歪量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-060168   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-022185
  
• 特開平3-021093