ドライエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994160965
Publication number (International publication number)：1996031801
Application date： Jul. 13, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 Alを含む化合物半導体層上のAlを含まない化合物半導体層を、高選択比で異方性エッチングする場合の、脱フロンプロセスを提供する。【構成】 C-O結合を有する有機化合物ガスと、F系ガスとの混合ガスによりエッチングする。両者の混合比を変えた2段階エッチングとしたり、ハロゲン化イオウ系ガスを添加してもよい。【効果】 Alを含まない化合物半導体層であるn+ -GaAs層5側面に形成される側壁保護膜7は、C-O結合を含み、F原子の含有量が低減された強固な炭素系ポリマである。このため、側壁保護膜7の堆積量を減らしても十分な保護効果を発揮し、異方性エッチングを可能とする。下層のn+ -AlGaAs層4の露出表面ではAlFx が形成され、高選択比が達成される。

Claim (excerpt)：

Alを含む化合物半導体層上に積層されたAlを含まない化合物半導体層を、C-O結合を有する有機化合物ガスと、F系ガスとを含む混合ガスによりエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

FI (2)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-179988 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平4-237124
特開昭5-166765

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