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J-GLOBAL ID：200903064427696913

光変調複合素子

Inventor： 梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994277234
Publication number (International publication number)：1995245450
Application date： Oct. 18, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 変調した半導体レーザー光を放出することが可能な、半導体レーザーと光変調素子が一体化された小型、低コスト、高速、高効率なオプト・エレクトロニクスに使用可能な光変調複合素子を提供する。【構成】 光変調複合素子は、半導体レーザー上に、半導体レーザーの基板に対してエピタキシャルまたは配向性である強誘電体薄膜光導波路を有する光変調素子がバッファ層を介して設けられ、該光変調素子は、半導体レーザーより導入されたレーザー光を変調した後に放出するものであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体レーザー上に、半導体レーザーの基板に対してエピタキシャルまたは配向性である強誘電体薄膜光導波路を有する光変調素子がバッファ層を介して設けられ、該光変調素子は、半導体レーザーより導入されたレーザー光を変調した後に放出するものであることを特徴とする光変調複合素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/109

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-030026
  
• 強誘電体薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-108457   Applicant：株式会社日鉱共石
• 特開平1-280375