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J-GLOBAL ID：200903064442872728

微粒子の無電解めっき方法

Inventor： 播谷 宏治 ,  原田 孝 ,  西元 一善
Applicant, Patent owner： 上村工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001145833
Publication number (International publication number)：2002339077
Application date： May. 16, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 Pd活性処理を行った微粒子を、その表面積がめっき浴に対して15〜250dm2/Lの割合で、金属イオン濃度を0.1〜1.5g/Lとした無電解めっき浴に投入し、めっき液を補給することなく、めっき反応が停止するまで当該無電解めっきを行うことを特徴とする微粒子の無電解めっき方法。【効果】 本発明によれば、めっき浴の自己分解を防ぎながら、正確な膜厚制御のもとに、均一に所望膜厚の無電解めっき皮膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

Pd活性処理を行った微粒子を、その表面積がめっき浴に対して15〜250dm2/Lの割合で、金属イオン濃度を0.1〜1.5g/Lとした無電解めっき浴に投入し、めっき液を補給することなく、めっき反応が停止するまで当該無電解めっきを行うことを特徴とする微粒子の無電解めっき方法。

IPC (2)：

C23C 18/16 ,  C23C 18/28

FI (2)：

C23C 18/16 A ,  C23C 18/28

F-Term (9)：

4K022AA13 ,  4K022AA35 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA12 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 触媒核が付与された基体、基体への触媒化処理方法及び無電解めっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-149651   Applicant：大阪市, 松下電器産業株式会社, 上村工業株式会社
• 無電解金めっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-306047   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• 粉末のめっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-000690   Applicant：三菱マテリアル株式会社