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J-GLOBAL ID:200903066288465688

触媒核が付与された基体、基体への触媒化処理方法及び無電解めっき方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999149651
Publication number (International publication number):2000336486
Application date: May. 28, 1999
Publication date: Dec. 05, 2000
Summary:
【要約】【解決手段】 銀及びパラジウムからなる金属触媒粒子が無電解めっきすべき非導電部表面に2000核/μm2以上の核密度で付着されてなる基体。【効果】 本発明によれば、非導電性基体上に微細な銀とパラジウムからなる金属触媒粒子を高密度に付与することができる。
Claim (excerpt):
銀及びパラジウムからなる金属触媒粒子が無電解めっきすべき非導電部表面に2000核/μm2以上の核密度で付着されてなる基体。
F-Term (18):
4K022AA01 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA18 ,  4K022AA42 ,  4K022BA04 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA15 ,  4K022BA16 ,  4K022BA25 ,  4K022BA33 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA18 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 不伝導基質上の銀層沈着
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-320892   Applicant:アドテック・ホルディングス・リミテッド
  • インクジェットプリンタヘッドの製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-093462   Applicant:株式会社テック, 東芝イーエムアイ株式会社
  • イオン交換膜への白金めっき方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-294383   Applicant:スガ試験機株式会社, 科学技術振興事業団
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