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J-GLOBAL ID：200903064484192107

単結晶製造方法

Inventor： 須佐 憲三 ,  石橋 浩之 ,  ナチムス セングツトバン ,  石井 満
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社 ,  株式会社第一機電
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001326513
Publication number (International publication number)：2003137691
Application date： Oct. 24, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 光透過率の高い良質な不純物元素添加4ホウ酸リチウム単結晶を歩留り良く製造する方法を提供する。【解決手段】 不純物元素を添加したLi2B4O7単結晶の製造方法であり、次の工程を経る単結晶製造方法。a)所定の組成の酸化物原料を混合し、るつぼ中で1000°C以上に加熱溶融する。b)融液を鋳型に注ぎ固化させて単結晶育成用原料を作製する。c)上記単結晶育成用原料を用いてブリッジマン法またはチョクラルスキー法で単結晶化する。

Claim (excerpt)：

不純物元素を添加したLi2B4O7単結晶の製造方法であって、次の工程を経ることを特徴とする単結晶製造方法、a)所定の組成の酸化物原料を混合し、るつぼ中で1000°C以上に加熱溶融する、b)融液を鋳型に注ぎ固化させて単結晶育成用原料を作製する、c)上記単結晶育成用原料を用いてブリッジマン法またはチョクラルスキー法で単結晶化する。

IPC (8)：

C30B 29/22 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/63 CPK ,  C30B 11/00 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/10 ,  G01T 1/202 ,  G01T 3/06

FI (9)：

C30B 29/22 C ,  C09K 11/08 B ,  C09K 11/63 CPK ,  C30B 11/00 C ,  C30B 11/00 Z ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/10 ,  G01T 1/202 ,  G01T 3/06

F-Term (24)：

2G088FF09 ,  2G088GG10 ,  2G088JJ37 ,  4G077AA02 ,  4G077BD07 ,  4G077CD01 ,  4G077EC05 ,  4G077EC10 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02 ,  4G077EH09 ,  4G077MA01 ,  4G077MA02 ,  4G077PA16 ,  4G077PD01 ,  4G077PD02 ,  4H001CA08 ,  4H001CF02 ,  4H001XA03 ,  4H001XA05 ,  4H001XA08 ,  4H001YA22 ,  4H001YA28 ,  4H001YA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭63-011600
  
• 特開昭53-039277
  
• 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-080426   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開昭60-127289
  
• 波長変換結晶の育成方法及びこの方法から作られた結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-049666   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 中性子シンチレータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-264969   Applicant：理化学研究所, 日立化成工業株式会社, 株式会社第一機電