Pat
J-GLOBAL ID：200903017385073939

波長変換結晶の育成方法及びこの方法から作られた結晶

Inventor：
菅原 保

About 菅原 保


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999049666
Publication number (International publication number)：2000247791
Application date： Feb. 26, 1999
Publication date： Sep. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 微小な散乱体が結晶に取込まれることがなく、入射光とSHG光の透過ロスを生ぜずに、結晶の損傷閾値を低下させない。【解決手段】 特定の位相整合方位に切出した種結晶10を用いて、波長変換結晶を育成する方法である。育成中相対湿度10%以下の乾燥ガスを融液21aに当るように育成炉20内に流す。波長変換結晶が四ほう酸リチウム単結晶であり、種結晶がc軸から74±5度だけ傾いた位相整合方位に切出されてチョクラルスキー法によりNd:YAGレーザの5倍波用波長変換結晶を育成する方法に適する。乾燥ガスが乾燥空気、乾燥アルゴン又は乾燥窒素である。
Claim (excerpt)：
特定の位相整合方位に切出した種結晶(10)を用いて、波長変換結晶を育成する方法において、前記結晶を育成中相対湿度10%以下の乾燥ガスを融液(21a)に当るように育成炉(20)内に流すことを特徴とする波長変換結晶の育成方法。
IPC (4)：
C30B 29/22 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/36 ,  G02F 1/35 505
FI (4)：
C30B 29/22 C ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/36 ,  G02F 1/35 505
F-Term (16)：
2K002AB12 ,  2K002CA02 ,  2K002FA11 ,  2K002FA30 ,  2K002HA20 ,  2K002HA32 ,  4G077AA02 ,  4G077AB04 ,  4G077BD07 ,  4G077CF10 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077ED02 ,  4G077HA01 ,  4G077PA03 ,  4G077PJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM