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J-GLOBAL ID：200903064523919060
スパッタタ-ゲット
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999180773
Publication number (International publication number)：2000104164
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 DD配線技術などを適用してAl配線膜を形成する際に、Al膜のライナー材としてのNb膜の電気特性や品質を高めることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。【解決手段】 スパッタターゲットは、Ta含有量が3000ppm 以下、酸素含有量が200ppm以下の高純度Nbからなる。スパッタターゲット中のTa含有量のバラツキは、ターゲット全体として±30% 以内とされている。また、酸素含有量のバラツキは、ターゲット全体として±80% 以内とされている。さらに、スパッタターゲット中のNbの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲とされている。これらスパッタターゲットは、Al配線のライナー材としてのNb膜の形成に好適である。
Claim (excerpt)：
Ta含有量が3000ppm 以下の高純度Nbからなることを特徴とするスパッタターゲット。
IPC (3)：
C23C 14/34
, H01L 21/285
, C22C 27/02 102
C23C 14/34 A
, H01L 21/285 S
, C22C 27/02 102 Z
