分子量子メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008543353
Publication number (International publication number)：2009517801
Application date： Nov. 20, 2006
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

分子量子メモリを実現する装置、システム及び方法が開示される。一実施形態において、偏極電子源(104)及び逆極性の偏極電子源(106)が、プローブアセンブリの少なくとも1つのプローブ先端(117、119)に選択的に結合される。そして、この少なくとも1つのプローブ先端は、偏極電子電流源(104、106)から選択的に得られた時間変化する偏極電子電流を用いて情報が分子に書き込まれ得るように、分子に電気的に結合される。

Claim (excerpt)：

偏極電子電流源; 逆極性の偏極電子電流源; 少なくとも1つのプローブ先端を含むプローブアセンブリであり、該プローブ先端は分子に電気的に結合される、プローブアセンブリ;及び前記偏極電子電流源又は前記逆極性の偏極電子電流源の何れかを、前記少なくとも1つのプローブ先端に選択的に結合させることが可能なスイッチ機構; を有する装置。

IPC (3)：

G11B 9/14 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2)：

G11B9/14 A , H01L27/10 447

F-Term (1)：

4M119BB20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-023257 Applicant：株式会社豊田中央研究所
スピン分極電子を用いた磁性媒体及び磁性媒体への情報記録装置及び記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-353048 Applicant：三星電子株式会社

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