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J-GLOBAL ID：200903075229465037

記憶装置

Inventor： 鈴木 基史 ,  大脇 健史 ,  多賀 康訓 ,  只野 博 ,  加地 徹 ,  田中 雄一 ,  冨田 一義
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023257
Publication number (International publication number)：1998208320
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】光誘起強磁性薄膜を用いた超高密度の記憶装置を実現すること。【解決手段】GaAs基板1の上に光誘起強磁性薄膜2が形成されており、その上に尖針4が対向している。GaAs基板1はxyzスキャナ3の上に配設されており、尖針4との3次元的な相対的位置関係が可変となっている。薄膜2に青色の光を照射して分子の磁化の向きを揃える。尖針4と基板1との間に比較的大きな電圧を印加することで、尖針4と基板1との間に比較的大きな電流を流して、光誘起強磁性薄膜2の分子の磁化の向きを無秩序する書込が行える。又、GaAs基板1に一様に円偏光を照射してスピン偏極電子を光励起し、比較的小さな電圧を印加することで、光誘起強磁性薄膜2の分子の磁化の向きに応じて変化する尖針4と基板1との間のトンネル電流を検出することで、光誘起強磁性薄膜2の分子の磁化の向きを検出することができる。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成された光誘起強磁性薄膜と、この光誘起強磁性薄膜に対向した尖針とを有し、前記尖針と前記光誘起強磁性薄膜との相対的位置関係を可変とし、前記基板及び前記尖針のうち少なくとも一方をスピン偏極電子が存在し得る材料とし、前記尖針と前記基板間に流れる前記スピン偏極電子のトンネル電流又は電界放出電流に基づいて前記光誘起強磁性薄膜の分子の磁化の向きを記録された情報として読み取ることを特徴とする記憶装置。

IPC (3)：

G11B 9/00 ,  G11B 11/00 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 9/00 ,  G11B 11/00 ,  H01L 43/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体ウィスカー探針及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-135370   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁性体、およびこれを用いた磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-058403   Applicant：株式会社東芝