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J-GLOBAL ID：200903064569518109

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
藤森 正成

About 藤森 正成

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橋詰 富博

About 橋詰 富博

, 
安藤 正彦

About 安藤 正彦


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005336709
Publication number (International publication number)：2007142305
Application date： Nov. 22, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：
【課題】従来の有機TFTに比べチャネルを伝導するキャリアの移動度が大きな値を持つTFT、及びそのTFTの安価且つ実施容易な作製方法を提供する。【解決手段】チャネルが高配向した半導体有機分子結晶薄膜から形成され、チャネルを伝導するキャリアの移動度が大きな値を持つTFT、及び基板上に撥液性の領域14に囲まれた親液性のTFTパターン19を形成し、そのパターンの形状に特徴を持たせることにより、チャネル12を含む基板表面の適当な領域に供給した半導体有機分子の溶液が自発的に異方的に乾燥し、その乾燥過程で高配向した結晶を成長させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成された撥液性領域の中に、ソース/ドレイン電極および両電極を結ぶチャネルに対応する親液性領域を形成し、前記チャネルに対応する領域に有機分子を含有した溶液を供給して、前記供給された溶液を前記チャネルに対応する親液性領域の形状により、異方的な乾燥を自ずと生じさせ、前記チャネル領域に結晶粒が大きく、高配向した結晶を成長させることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (7)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310L ,  H01L29/28 220Z
F-Term (24)：
5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG60 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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