光学的情報記録用媒体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996325207
Publication number (International publication number)：1998172179
Application date： Dec. 05, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】低反射率ながらCDフォーマットと互換性がとれるよう溝信号が限定され、かつ高コントラストで、多数回のデータの書き換えに対し劣化の少ない相変化媒体を提供する。【解決手段】トラックピッチが1.6±0.1μmで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光学的情報記録用媒体において、記録層がM<SB>w</SB>(Sb<SB>z</SB>Te<SB>1-z</SB>)<SB>1-w</SB>(0≦w<0.3、0.5<z<0.9、MはIn,Ga,Zn,Ge,Sn,Si,Cu,Au,Ag,Pd,Pt,Pb,Cr,Co,O,S,Seからなる群より選ばれる少なくとも1種)合金薄膜であり、その膜厚、下部保護層の膜厚、さらに案内溝の深さと幅を特定したもの。

Claim (excerpt)：

トラックピッチが1.6±0.1μmで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が15%以上25%以下の結晶状態を未記録状態とし反射率10%未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長780±30nmの集束光を用いて光強度の2値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、記録層がM<SB>w</SB>(Sb<SB>z</SB>Te<SB>1-z</SB>)<SB>1-w</SB>(0≦w<0.3、0.5<z<0.9、MはIn,Ga,Zn,Ge,Sn,Si,Cu,Au,Ag,Pd,Pt,Pb,Cr,Co,O,S,Seからなる群より選ばれる少なくとも1種)合金薄膜であり、その膜厚が15nm以上30nm以下であり、下部保護層の膜厚が70nm以上150nm未満でありかつ結晶状態の反射率が極小値となる膜厚より0nmを超えて30nm以下厚く、さらに案内溝の深さが25nm以上45nm以下、幅が0.4μm以上0.6μm以下であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。

IPC (6)：

G11B 7/24 522 , G11B 7/24 , G11B 7/24 501 , G11B 7/24 511 , G11B 7/24 535 , G11B 7/24 561

FI (6)：

G11B 7/24 522 L , G11B 7/24 522 A , G11B 7/24 501 Z , G11B 7/24 511 , G11B 7/24 535 G , G11B 7/24 561 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

相変化型光ディスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203544 Applicant：日本電気株式会社
光学的情報記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-011872 Applicant：日本電気株式会社
光情報記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-119768 Applicant：日本電装株式会社

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