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J-GLOBAL ID：200903064640059188

半導体装置の製造方法、研磨装置および研磨方法

Inventor：
野上 毅

About 野上 毅

, 
由尾 啓

About 由尾 啓

, 
佐藤 修三

About 佐藤 修三


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999253605
Publication number (International publication number)：2001077117
Application date： Sep. 07, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】多層配線構造を有する半導体装置の配線を構成するための金属膜の研磨による平坦化工程において、ディッシング、エロージョンの発生を抑制可能な、研磨方法、研磨装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】金属膜の表面に当該金属の電解反応を妨げる作用を発揮する不動態膜を形成する工程(PR4)と、配線用溝の埋め込みによって生じた金属膜の表面に存在する凸部上の不動膜を機械研磨によって選択的に除去し、金属膜の凸部を表面に露出させる工程(PR5)と、露出した金属膜の凸部を電解研磨によって除去し、配線用溝の埋め込みによって生じた金属膜の表面の凹凸を平坦化する工程(PR6)と、表面が平坦化された金属膜の絶縁膜上に存在する金属膜を電解研磨と機械研磨とを複合させた電解複合研磨よって除去し、前記配線を形成する工程(PR7)を有する。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された絶縁膜に配線を形成するための配線用溝を形成する工程と、前記配線用溝を埋め込むように、前記絶縁膜上に金属膜を堆積させる工程と、前記絶縁膜上に堆積した金属膜の表面に当該金属膜の電解反応を妨げる作用を発揮する不動態膜を形成する工程と、前記金属膜に形成された不動態膜のうち、前記配線用溝の埋め込みによって生じた前記金属膜の表面に存在する凸部上の不動膜を機械研磨によって選択的に除去し、当該金属の凸部を表面に露出させる工程と、前記露出した金属膜の凸部を電解研磨によって除去し、前記配線用溝の埋め込みによって生じた前記金属膜の表面の凹凸を平坦化する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (6)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/306 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 29/78 619 A
F-Term (46)：
5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033XX01 ,  5F040DC01 ,  5F040EJ03 ,  5F040EJ08 ,  5F040FC10 ,  5F043DD14 ,  5F043DD16 ,  5F043EE08 ,  5F043EE14 ,  5F043EE35 ,  5F043EE40 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10 ,  5F110AA18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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