誘導結合プラズマ・リアクタとその方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大貫進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049888
Publication number (International publication number)：1997237698
Application date： Feb. 18, 1997
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体ウェハ28の処理方法とを提供する。【解決手段】誘導結合高周波プラズマ・リアクタ10は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル38,44を有するプラズマ源16を備える。ガス供給システム20は、それぞれがプラズマ源16内の複数のチャネル38,44に個別に流量とガス組成とを供給することのできる複数のガス供給ライン34,35,36を備える。各チャネルは、個別に給電されるRFコイル54,56により囲まれて、プラズマ源16の各チャネル38,44内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。動作中は、半導体ウェハ28の上にある材料層66は、半導体ウェハ28全体の各位置64でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。

Claim (excerpt)：

半導体装置を作成する方法であって:第1プラズマ発生領域と第2プラズマ発生領域とを有するプラズマ・リアクタ(10)であって、前記第1プラズマ発生領域は、前記第2プラズマ発生領域が前記第1プラズマ発生領域の周囲を囲む周縁部を有するプラズマ・リアクタ(10)を準備する段階;前記プラズマ・リアクタ(10)内に半導体基板(28)を配置する段階;前記第1プラズマ発生領域と前記第2プラズマ発生領域とを用いて前記プラズマ・リアクタ(10)内にプラズマ(30)を生成する段階;および前記プラズマ(30)を用いて前記プラズマ・リアクタ(10)内で前記半導体基板(28)を処理する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (5)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-094422
プラズマ処理装置及び処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-277934 Applicant：松下電器産業株式会社
プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-187097 Applicant：国際電気株式会社

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