半導体装置の製造方法及び化学気相成長装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996024073
Publication number (International publication number)：1996288242
Application date： Feb. 09, 1996
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【課題】製造装置の大型化や複雑化、及び実効的な配線抵抗の上昇を招くこともなく、CVD法を用いて非常に高純度の銅薄膜を下地との密着性良く堆積することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基体上に中間薄膜を形成する工程、この中間薄膜上に、銅原子を含む有機金属化合物からなる原料ガスと酸化性ガスとを供給して、化学気相成長を行ない、微量の酸素を含み、銅を主成分として含む第1の導電性薄膜を形成する第1の気相成長工程、酸化性ガスの供給を停止し、前記原料ガスを供給して化学気相成長を行ない、銅を主成分として含む第2の導電性薄膜を形成する第2の気相成長工程、及び前記第1及び第2の気相成長の温度よりも高い温度で前記第1及び第2の導電性薄膜を熱処理する工程を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基体上に中間薄膜を形成する工程、この中間薄膜上に、銅原子を含む有機金属化合物からなる原料ガスと酸化性ガスとを供給して、化学気相成長を行ない、微量の酸素を含み、銅を主成分として含む第1の導電性薄膜を形成する第1の気相成長工程、及び酸化性ガスの供給を停止し、前記原料ガスを供給して化学気相成長を行ない、銅を主成分として含む第2の導電性薄膜を形成する第2の気相成長工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 , C23C 16/18 , H01L 21/205 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/285 C , C23C 16/18 , H01L 21/205 , H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体集積回路及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-141593 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-183880 Applicant：株式会社東芝
特開昭60-211074

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