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J-GLOBAL ID：200903064784156625

半導体レーザ素子

Inventor： 藤本 毅 ,  内藤 由美
Applicant, Patent owner： 三井石油化学工業株式会社
Agent (1)： 西教 圭一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995195627
Publication number (International publication number)：1997045989
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】 活性層へのキャリア閉じ込めを確実にしつつ、内部損失および電気抵抗を低く抑えて、高効率で高出力の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板20上に、順次、第2n型クラッド層11、第1n型クラッド層12、n型キャリアブロック層13、活性層14、p型キャリアブロック層15、第1p型クラッド層16、第2p型クラッド層17、電流狭窄層18、p型コンタクト層19が形成される。キャリアブロック層13、15を1×1018cm-3以上の高ドーピング濃度に、第1クラッド層12、16を3×1017cm-3以下の低ドーピング濃度に、第2クラッド層11、17を1×1018cm-3以上の高ドーピング濃度に形成している。またp型ドーパントとして、拡散性の低い炭素またはマグネシウムを用いている。

Claim (excerpt)：

活性層の両側にn型およびp型クラッド層を設け、前記活性層に近接して前記活性層および前記両クラッド層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型キャリアブロック層およびp型キャリアブロック層をそれぞれ設けた半導体レーザにおいて、n型およびp型クラッド層はそれぞれ活性層に近い順に第1クラッド層と第2クラッド層を含み、πを円周率とし、λを発振波長とし、活性層、キャリアブロック層および第1クラッド層の最大屈折率をN1、第2クラッド層の屈折率をN2とし、第2クラッド層間の実効厚みをd1とし、規格化周波数VをV=(π・d1/λ)・(N12-N22)0.5と定義したとき、V>π/3が成立するとともに、n型およびp型キャリアブロック層のドーピング量は、n型およびp型クラッド層の第1クラッド層より高濃度であって、n型およびp型クラッド層の第2クラッド層のドーピング量は、第1クラッド層より高濃度となるように変調ドーピングが施されていることを特徴する半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭55-096695
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-018476   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭60-225490
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭55-096695
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-018476   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭60-225490
  
• 特開平1-260879