薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005101402
Publication number (International publication number)：2006286718
Application date： Mar. 31, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】半導体材料の過剰な消費を抑制でき、適量な半導体材料にて製造が可能であるとともに、ソース電極とドレイン電極の間のリーク電流を抑制することができる薄膜トランジスタの提供。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記絶縁基板と前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極とドレイン電極と半導体層とを有し、平面視的配置において、前記ソース電極が孤立島パターンに形成されており、前記ドレイン電極が前記ソース電極を取り囲むように配置されており、さらに前記ゲート電極が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隙を埋める位置に配置されてなる薄膜トランジスタであって、前記ドレイン電極の膜厚が1μm以上である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記絶縁基板と前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極とドレイン電極と半導体層とを有し、平面視的配置において、前記ソース電極が孤立島パターンに形成されており、前記ドレイン電極が前記ソース電極を取り囲むように配置されており、さらに前記ゲート電極が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隙を埋める位置に配置されてなる薄膜トランジスタであって、前記ドレイン電極の膜厚が1μm以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 51/05 , H01L 29/41 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (8)：

H01L29/78 616T , H01L21/28 301R , H01L29/78 617J , H01L29/78 618B , H01L29/28 , H01L29/44 L , H01L29/50 M , H01L29/58 G

F-Term (44)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F110AA06 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE24 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG23 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110NN04 , 5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-199686 Applicant：三菱化学株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236210 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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