液晶表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236210
Publication number (International publication number)：1996160469
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】リーク電流の少ない薄膜トランジスタを提供する。【構成】半導体膜の活性層(504)には、TFTの外形が略相似とされた電極が同心円状に配置されている。円形の電極(501)の外側を囲むように、ゲイト電極(502)、円環の一部が欠けた形状の電極(503)が配置されている。電極(501)はゲイト電極を構成する配線金属とは異なる層に配置され、電極(501)と電極(503)は同一層の配線金属で構成される。電極(501)と電極(503)は、いずれか一方をソース電極とし、他方をドレイン電極とする。これにより、活性層(504)のエッジがソース電極とドレイン電極とを結ぶ線上に存在しないため、ドレイン電極とソース電極とが、ゲート電極によって短絡されない構成となる。この結果、リーク電流を減少させることができる。

Claim (excerpt)：

ゲイト電極がドレイン電極を囲むように配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極をほぼ囲むようにソース電極が配置された構造の薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 617 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-221175 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-233486 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭60-189969

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