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J-GLOBAL ID：200903064916519862
シリコンナノニードルの製法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002047199
Publication number (International publication number)：2003246700
Application date： Feb. 22, 2002
Publication date： Sep. 02, 2003
Summary：
【要約】【課題】 CVD等の特殊装置を用いない簡便、安価で安全な、自己組織化によるシリコンナノニードルの高効率生成方法の確立が求められている。しかも、その形状はよく制御されたものである必要がある。【構成】 シリコンと合金液滴を形成する金属を用いて、気体-液体-固体機構によりシリコン基板上にシリコン単結晶のニードルを成長させる方法において、該金属の他に硫黄を用いることによりシリコン基板を供給源として気相のシリコンを生成させて該金属と合金液滴を形成させ、該合金液滴の冷却過程においてシリコン基板表面にシリコンナノニードルをエピタキシャルに成長させる。この方法によりマイクロテクスチャリングされたシリコンを用いることにより、高効率ディスプレーなどのフィールドエミッター、光検出器、高効率太陽電池、発光素子等々のIT分野へのシリコンナノニードルの実用化に貢献できる。
Claim (excerpt)：
シリコンと合金液滴を形成する金属を用いて、気体-液体-固体機構によりシリコン基板上にシリコン単結晶のニードルを成長させる方法において、該金属の他に硫黄を用いることによりシリコン基板を供給源として気相のシリコンを生成させて該金属と合金液滴を形成させ、該合金液滴の冷却過程においてシリコン基板表面にシリコンナノニードルをエピタキシャルに成長させることを特徴とするシリコンナノニードルの製法。
F-Term (5)：
4G077AA04
, 4G077BA04
, 4G077CC06
, 4G077HA15
, 4G077HA20
